Resum de la classificació de gasos electrònics comuns en la fabricació de semiconductors

En el procés de fabricació de semiconductors, s’utilitzen una gran varietat de gasos electrònics en diferents enllaços de procés. Segons el seu ús, aquests gasos es poden dividir aproximadament en les categories següents:

Barrejar gas

Els gasos dopats s’utilitzen principalment en processos d’implantació d’ions o de difusió per incorporar impureses específiques (com P, B, AS, etc.) a la matriu de semiconductors per regular les seves propietats elèctriques. Els gasos dopats habituals inclouen:

Ash₃, Ph₃, Geh₄, B₂h₆, Ascl₃, Asf₃, H₂s, Bf₃, Bcl₃, Seh₂, Sbh₃, (Ch₃) ₂te, (ch₃) ₂cd, (C₂h₅) ₂CD, Pcl₃, (C₂h₅) ₂te

Els cristalls creixen gas

Els gasos de creixement de cristalls s’utilitzen per a la reacció de creixement de capes epitaxials o ALDs. Els gasos comuns són:

Sih₄, Sih, Cl, Sihcl₃, Sicl₄, Bh₆, Bbr₃bcl₃, Ash₃, Ph₃, Geh₄, Teh₂, (Ch₃) ₃al, (C₂h₅) ₃al, (ch₃) ₃as, (c₂h₅) ₃as, (ch₃) ₂hg, (ch₃) p, (c₂h₅) ₃p, sncl₄, gecl₄, gecl₄, gecl₄, gecl₄, gecl₄, gecl₄, gecl₄, gecl₄, gecl₄, gecl₄, gecl₄ SBCL₅, Si₂h₆, HCl.

0020-33806 Cambra superior DPS + Poly

Gas gravat

En generar intermediaris reactius (per exemple, radicals F, radicals Cl, etc.) sota excitació de plasma, s’utilitzen per gravar diferents materials de pel·lícula fina. Els gasos comuns són:

Sif₄, cf₄, c₃f₈, chf₃, c₂f₆, cclf₃, o₂, c₂clf₅, nf₃, sf₆, bcl₃, hfcl₂, n₂, he, ar, cl₂, hf, hf, hBr

Gas d'injecció d'ions

Materials d'ions d'ions utilitzats en processos d'implantació d'ions:

Asf₃, Pf₃, Ph₃, Bf₃, Bcl₃, Sif₄, Sf₆, H₂, N₂.

V. Gas de deposició de vapors químics

Per al creixement de pel·lícules primes en processos de CVD:

Sihcl₂, sicl₄, nh₃, no, o₂, no2

0040-09094 Cambra 200mm

Vi.dilute Gas

S'utilitza habitualment en dopatge, CVD o gravat per regular les concentracions de gas reactives o la transferència de calor:

N₂, ar, he, h₂, co₂, n₂o, o₂